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MOS complémentaire [1 fiche]

Fiche 1 2022-08-25

Anglais

Subject field(s)
  • Electronic Circuits Technology
  • Semiconductors (Electronics)
  • Electronic Components
DEF

A semiconductor technology in which pairs of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), one N-type and one P-type, are integrated on a single silicon chip.

OBS

Generally used for RAM [random access memory] and switching applications, [CMOS] devices have very high speed and extremely low power consumption. They are, however, easily damaged by static electricity.

Terme(s)-clé(s)
  • complementary metal oxide silicon

Français

Domaine(s)
  • Technologie des circuits électroniques
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Composants électroniques
DEF

Technologie de fabrication de circuits intégrés qui associe une paire de transistors complémentaires (un de type N et un autre de type P).

OBS

Du fait de sa faible consommation électrique, cette technologie est souvent mise en œuvre pour les mémoires et les microprocesseurs des machines portables fonctionnant sur batterie, mais elle est très sensible aux décharges d'électricité statique.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Tecnología de los circuitos electrónicos
  • Semiconductores (Electrónica)
  • Componentes electrónicos
DEF

Tecnología de fabricación de circuitos integrados que utiliza transistores MOS [metal-óxido-semiconductor] canal N y canal P.

OBS

semiconductor de óxido métalico complementario: Los equivalentes que indican que MOS (metal-óxido-semiconductor) es un semiconductor no son precisos. En realidad, el semiconductor es una de las tres capas que componen esta estructura junto con el metal y el óxido.

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